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半導体SiC国際会議ICSCRM2019 オープニングイベント チュートリアル“SiC-MOSFETs; Features and Applications”

概要

日時
2019年9月29日(日)10:30~17:00
場所
京都国際会館 Room A(〒606-0001 京都府京都市左京区宝ヶ池)
プログラム
1.「SiC MOSFETの設計とデバイス特性」Noriyuki Iwamuro(University of Tsukuba)
2.「SiC MOSFETの信頼性」Philip Mawby(University of Warwick)
3.「SiC MOSFETのパッケージ,モジュール実装」Josef Lutz(Chemnitz University of Technology)
4.「SiCデバイスの高周波駆動技術」Juan Rivas-Davila(Stanford University)
5.「SiC MOSFETの性能を最大限に引き出すマルチレベルインバータ回路」Alberto Castellazz(i University of Nottingham)
6.「SiC MOSFETを用いた回路の商用展開~挑戦から収益実現へ~」Samuel Araujo(Robert Bosch GmbH)
※9月30日(月)~10月4日(金)ICSCRM本会議
講演言語
英語
参加費
一般Web登録(オンライン):9,000円,一般当日(オンサイト):12,000円,学生Web登録/ 当日:5,000円 当日,受付にて支払う。
申し込み方法
チュートリアルは下記URLより申し込む。
https://annex.jsap.or.jp/limesurvey/index.php/356998/lang-ja
Web登録締め切り
9月8日(日)

問い合わせ:チュートリアルコミッティー(京都大学)/奥田貴史
TEL:075-753-2243
E-mail:t-okuda@dove.kuee.kyoto-u.ac.jp
URL:http://annex.jsap.or.jp/adps/

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