【重要】技術情報誌『O plus E』休刊のお知らせ

応用物理学会 先進パワー半導体分科会 第9回研究会「-進化するパワーエレクトロニクス-新時代の熱・信頼性設計/ 評価技術」

概要

日時
2017年12月22日(金)9:55~17:25(展示会9:30~16:00)
場所
大阪大学吹田キャンパス 医学部・銀杏会館 三和ホール(〒565-0871 大阪府吹田市山田丘2-1)
プログラム
1.基調講演「次世代パワーモジュールのための耐熱実装技術~焼結接合の可能性と展開~」菅沼克昭(大阪大学)
2.基調講演「プラグインHEV・電気自動車向け高出力密度インバータ技術~SiCデバイス適用見据えて~」中津欣也(日立製作所)
3.「SiCを用いた両面冷却パワーモジュール~小型/高出力化と熱/応力設計~」杉浦和彦(デンソー)
4.「パワーモジュールの放熱性・信頼性向上技術~エポキシ封止技術を中心として~」大井健史(三菱電機)
5.ポスターセッション(会場:大会議室)
6.「絶縁基板とベースプレート等基体との先進接合技術~更なる高放熱化・高耐熱化・高信頼性化を実現~」大井 宗太郎(三菱マテリアル)
7.「パワーデバイスの高耐熱化を見据えた200℃オーバー熱衝撃試験」青木雄一(エスペック)
8.「GaN・SiC時代の過渡熱抵抗測定~パワーサイクル試験への応用~」原 智章(メンター・グラフィックス・ジャパン)
9.「パワーデバイス信頼性試験の国際標準化動向~パワーサイクル試験/SiC・GaNの信頼性試験技術~」山口浩二(富士電機)
定員
200名
参加費
先進パワー半導体分科会会員:2,000円,分科会学生会員:1,000円,一般:4,000円,一般学生:1,000円(テキスト代・税込,当日支払う)
申し込み方法
下記URLより要事前登録
参加登録締切
12月20日(水)

問い合わせ:応用物理学会事務局/岡山昇平

TEL:03-5802-0863

E-mail:divisions@jsap.or.jp

URL:http://annex.jsap.or.jp/adps/pdf/kenkyuukai09.pdf

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