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シリコンテクノロジー分科会第170回研究集会「半導体デバイスに対する放射線照射効果」

概要

日時
2014年3月3日(月)13:00~17:10
場所
日本大学駿河台キャンパス1号館 3F131教室
(〒101-8308 東京都千代田区神田駿河台1-8-14)
参加費
分科会員2,000円,学生2,000円,その他4,000円(テキスト代・税込)
懇親会費
3,000円程度(予定)
申し込み方法
直接会場にお越しください。

プログラム

  1. 「半導体の放射線照射効果とその評価方法」大島 武(日本原子力研究開発機構)
  2. 「大気圏内中性子のシリコン半導体への照射効果」伊部英史(日立)
  3. 「デバイスの立体化がもたらす放射線耐性への影響」小林大輔(JAXA宇宙研)
  4. 「パワーMOSFETにおけるトータルドーズ効果とシングルイベント効果」井上正範(富士電機)
  5. 「X線照射効果のウェハレベル高効率測定方法の開発とMOS-SOIトランジスタへの応用」初井宇記(理化学研究所)
  6. 「宇宙放射線起因SEU/SET対策としてのRHBD技術」槇原亜紀子(HIREC)

問い合わせ:日大理工/高橋芳浩

TEL/FAX:047-469-5459
E-mail:ytaka@ecs.cst.nihon-u.ac.jp
URL:http://annex.jsap.or.jp/silicon/

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