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窒化ガリウムを用いた超高速トランジスタの高出力化・高速化東北大学,住友電気工業(株),高輝度光科学研究センター 研究グループ

 東北大学,住友電気工業(株),高輝度光科学研究センターの研究グループは,Society 5 .0の基盤インフラとなる5 G・Beyond 5 Gの中核を担う超高速トランジスタGaN-HEMTに関し,デバイス動作条件下での電子状態の高精度な時空間観測を可能にするために,オペランド・ナノ時空間分解X線吸収分光を開発し,デバイス動作下でのGaN-HEMTの直接観測に成功したと発表した。
 その結果,GaN-HEMTの特性の決定要因の1つである表面電子捕獲の時空間挙動が初めて解明され,表面電子捕獲の詳細なメカニズムを明らかにした。さらには,表面保護膜による特性向上のメカニズムをも詳らかにした。本研究の成果は,GaN-HEMTの更なる高出力化・高速化につながるものである。

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