帯域100 GHzを超える直接変調レーザを開発
東京工業大学
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世界最高速の帯域100 GHzを超える直接変調レーザを開発 SiC基板上メンブレンレーザ...
概要 日本電信電話株式会社(以下 NTT)は、東京工業大学(以下 東工大)科学技術創成研究院 未来産業技術研究所の小山二三夫教授と共同で、高熱伝導率を持つSiC基板上にインジウムリン系化合物半導体を用いたメンブレンレーザを開発しました。直接変調レーザとして世界で初めて3dB帯域が100 GHzを超え、毎秒256ギガビット(2,560億ビット)の信号を2 km...