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シンプルな窒化ガリウム素子における量子ドットを観測 GaN FETを活用した量子デバイスへ東北大学,ローム株式会社 研究グループ

 東北大学,ローム株式会社の研究グループは,シンプルな窒化ガリウム電界効果トランジスタ構造において,量子ドットが形成されることを観測した。精密な電気伝導測定により,トランジスタのON/OFF領域の境界において量子ドットに特徴的な電気伝導を観測し,不純物による量子ドット形成過程のしくみを解明して発表した。

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