高い強誘電性を有する窒化物強誘電体の薄膜化に成功‐低消費電力の不揮発性メモリへの応用に期待‐

東京工業大学の研究グループは，強誘電体の中で最も高い強誘電性を持つことが報告されている窒化アルミニウムスカンジウムについて，スカンジウムを低濃度にすることによって，従来よりも高い強誘電性を発現する膜の作製に成功した。さらに，10万分の1ミリメートル（10 nm）以下の窒化アルミニウムスカンジウム薄膜でも強誘電性があることを確認したと発表した。