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半導体用高純度シリコンの収率の限界を突破~水素ラジカル発生・輸送装置の開発で15%以上の収率向上が期待~物質・材料研究機構(NIMS)と筑波大学 研究グループ

 物質・材料研究機構(NIMS)と筑波大学の研究グループは,従来は25%が限界といわれていた半導体用高純度シリコンを生成するシーメンス法のSi収率を向上させることに成功したと発表した。

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