次世代の省電力・超高速電子デバイス材料の精密な合成に成功　シリコン半導体の微細化の限界を突破するグラフェンナノリボン奈良先端科学技術大学院大学，(株)富士通研究所，富士通(株)，東京大学，科学技術振興機構(JST)　研究グループ

　奈良先端科学技術大学院大学，(株)富士通研究所，富士通(株)，東京大学，科学技術振興機構(JST)の研究グループは，現在のシリコン半導体の微細化の限界を超える次世代の電子材料として研究が進む，「グラフェン」という炭素原子が平面状に結合した物質について，その構造を精密に制御してリボン形に合成する方法を開発し，半導体としての極めて優秀な電気特性を持つ，幅の広い「グラフェンナノリボン（GNR）」の作製に成功したと発表した。このGNRは原子17個分の約2ナノメートルの幅で，電気の流れやすさに関わる「バンドギャップ」は約0.6 eV（電子ボルト）と小さく，絶縁体にも伝導体にもなる半導体の材料として最適な性質を示した。