消費電力1/10，性能指標100倍！世界最高性能の半導体スピン伝導素子を実証—原子層制御技術が拓く高性能半導体スピンデバイス—大阪大学，東京都市大学　研究グループ

UPDATE： | 記事カテゴリー：ニュース
　大阪大学，東京都市大学の研究グループは，次世代の高速電子デバイスや光デバイスへの応用が期待されている半導体材料のゲルマニウム（Ge）を用いたスピントロニクス電子デバイス構造における新技術を開発し，室温における最高性能（消費電力1/10・性能指数100倍）を実現したと発表した。
www.tcu.ac.jp
消費電力1/10、性能指標100倍！世界最高性能の半導体スピン伝導素子を実証—原子層...
https://www.tcu.ac.jp/news/newsrelease/20200619-29702/
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