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高分子電解質のシャボン玉を使ってEUV発生に成功東京工業大学 研究グループ

 東京工業大学の研究グループは,高分子電解質を界面活性剤として用いたシャボン玉を鋳型として,レーザーの低密度ターゲットとなるスズ薄膜球を作成することに成功したと発表した。使用したスズの量は,シャボン玉1個あたり4.2ナノグラムと少なく,原子数,サイズの制御性も高い。実際にレーザーを照射すると,金属スズと変わらない13.5 nmの極端紫外線(EUV)の発光を確認できた。
 高分子電解質の泡は,いわば極めて安定なシャボン玉であり,大量の製造に適している。今回開発した手法は,原理的にはスズだけでなく,他の元素にも適用できるため,レーザー式では開発が困難と考えられている6.x nmの光源や,がん治療などに用いられている炭素イオンビーム用のターゲットなどにも展開が可能である。
 近年,高強度レーザーの開発が進む一方で,レーザーの標的(ターゲット)の開発が遅れており,特に極低密度で,大量製造が可能な,安価なターゲットが求められている。本手法はこれらの条件を満たすものであり,その発展が見込まれる。

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