シンプルな窒化ガリウム素子における量子ドットを観測 GaN FETを活用した量子デバイスへ東北大学,ローム株式会社 研究グループ UPDATE:2020.09.28 (5年前) | 記事カテゴリー:ニュース 東北大学,ローム株式会社の研究グループは,シンプルな窒化ガリウム電界効果トランジスタ構造において,量子ドットが形成されることを観測した。精密な電気伝導測定により,トランジスタのON/OFF領域の境界において量子ドットに特徴的な電気伝導を観測し,不純物による量子ドット形成過程のしくみを解明して発表した。 東北大学 -TOHOKU UNIVERSITY-シンプルな窒化ガリウム素子における量子ドットを観測 GaN FETを活用した量子デバ...https://www.tohoku.ac.jp/japanese/2020/09/press20200924-02-Ga.html【発表のポイント】 シンプルな窒化ガリウム電界効果トランジスタ構造において、量子ドット※1が形成されることを電気伝導測定により観測した。 半導体量子ビット・センサ等の量子デバイス※2応用や、材料内のミ...
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