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SiCウェーハの高速生産・素材ロス大幅低減を実現(株)ディスコ

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SiCウェーハの高速生産・素材ロス大幅低減を実現
 (株)ディスコは,レーザー加工によるインゴットスライス手法「KABRA」プロセスを開発したと発表した。本技術により,スライス時の素材ロスを抑制できるため,次世代パワーデバイスの素材「SiC」ウェーハを,既存プロセス比約1.5倍の高速生産が実現できるとしている。

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