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逆転の発想でSiCパワー半導体の高品質化に成功京都大学,東京工業大学 研究グループ

 京都大学,東京工業大学の研究グループは,省エネの切り札と言われるSiC(シリコンカーバイド)半導体で20年以上にわたって大きな問題になっていた欠陥(半導体の不完全性)を一桁低減し,約10倍の高性能化に成功したと発表した。

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