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CMOSプロセスでナノ光共振器の作製に成功慶應義塾大学

慶應義塾大学の研究グループは,CMOS互換プロセスを用いてナノ光共振器を作製することに成功したと発表した。

フォトニック結晶はシリコン薄膜にナノスケールの穴を周期的に空けた構造であり,この構造を利用するとナノ空間に光を閉じ込めることができる。光を閉じ込めると,微小な入力光でも非線形光学効果を引き起こすことができるため,信号処理応用ができると示されてきた。しかし,これまでのフォトニック結晶は電子線描画という高価で時間がかかる技術により作製されてきたため,高精度だけれども大量生産には不向きであった。

今回,フォトニック結晶による光ナノ共振器を,集積回路と同じCMOSプロセスを用いて作製し,同手法を用いた物としては2 .2 ×105の光の閉じ込め性能(Q値)を達成した。作製が安価で量産化を実現できるため,光集積回路の実用化に向けた研究開発が大幅に促進することが期待される。また,光回路で信号処理を行うことを念頭に,光で光のオンオフを制御する超高速なスイッチングの実現も示している。

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