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奈良先端大,「全光型」のカギとなるスイッチングメモリー素子の動作電流を大幅に削減

奈良先端科学技術大学院大学の物質創成科学研究科 超高速フォトニクス研究室の河口仁司教授と片山健夫助教らの研究グループが,半導体レーザーによるスイッチングメモリー素子の動作電流を,従来の1/4となる1mA以下へと削減したことを発表した。 (続きを読む…)

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