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先進パワー半導体分科会第7回研究会「次世代パワー半導体モジュール~デバイスの真価を発揮させる実装技術~」

概要

日時
2017年4月12日(水)9:55~17:00
場所
東工大大岡山キャンパス西9号館2階ディジタル多目的ホール(〒152-8550 東京都目黒区大岡山2-12-1)
プログラム
  1. 基調講演「先端SiCパワーモジュール技術~低インダクタンス,低熱抵抗,高信頼性対応~」高橋良和(富士電機)
  2. 基調講演「パワー半導体を支える実装技術と将来動向」今井博和(デンソー)
  3. 「~次世代パワーモジュールの熱設計・劣化評価に向けて~SiCパワーデバイスに対応した過渡熱解析技術」加藤史樹(産業技術総合研究所)
  4. 「~パワーモジュール性能を左右~高耐熱・低インダクタンス構造を如何に実現するか」鈴木達広(日産アーク)
  5. 「パワーデバイスを活かすコンデンサの最新技術」西山茂紀(村田製作所)
  6. 「PCU用リアクトルの進化~圧粉磁心による小型化と鉄損低減~」服部 毅(豊田中央研究所)
  7. 「次世代パワーモジュール用新規接合材料の開発~無加圧接合用焼結Cuダイボンド材料~」江尻芳則(日立化成)
  8. 「次世代パワー半導体に向けたモールド封止材料技術~高温動作,高機能化に向けて~」辻 隆行(パナソニック)
  9. 「GaN/SiC時代の高耐熱シリコーン」松田 剛(信越化学工業)
  10. 「SiCパワーモジュールのための高熱伝導窒化珪素回路基板」須崎純一(デンカ)
定員
200名
参加費
先進パワー半導体分科会会員:2,000円,分科会学生会員:1,000円,一般:4,000円,一般学生:1,000円(テキスト代・税込,当日支払う)
申し込み方法
下記URLより要事前登録
参加登録締切
4月1日(土)

問い合わせ:応用物理学会事務局/岡山昇平

TEL:03-5802-0863

E-mail:divisions@jsap.or.jp

URL:https://annex.jsap.or.jp/adps/pdf/kenkyuukai07.pdf

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